SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存
6月8日消息，SK海力士8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于2022年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。
238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。
此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。
并且也改善了约20%的读写性能，由此公司自信，可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。
SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。